ГаН епитаксијални графитни сусцептор за Г5

ВеТек Семицондуцтор је професионални произвођач и добављач, посвећен пружању висококвалитетног ГаН епитаксијалног графитног сусцептора за Г5. успоставили смо дугорочна и стабилна партнерства са бројним познатим компанијама у земљи и иностранству, заслужујући поверење и поштовање наших купаца.

Пошаљи упит

Опис производа

ВеТек Семицондуцтор је професионални кинески ГаН епитаксиални графитни сусцептор за Г5 произвођача и добављача. ГаН епитаксијални графитни сусцептор за Г5 је критична компонента која се користи у систему Аиктрон Г5 метал-органског хемијског таложења паре (МОЦВД) за раст танких филмова високог квалитета галијум нитрида (ГаН), игра кључну улогу у обезбеђивању уједначене температуре дистрибуција, ефикасан пренос топлоте и минимална контаминација током процеса раста.

Кључне карактеристике ВеТек Семицондуцтор ГаН епитаксијалног графитног сусцептора за Г5:

-Висока чистоћа: Сусцептор је направљен од високо чистог графита са ЦВД премазом, минимизирајући контаминацију растућих ГаН филмова.

-Одлична топлотна проводљивост: Висока топлотна проводљивост графита (150-300 В/(м·К)) обезбеђује уједначену дистрибуцију температуре преко пријемника, што доводи до доследног раста ГаН филма.

-Ниско термичко ширење: Низак коефицијент топлотног ширења пријемника минимизира термички стрес и пуцање током процеса раста при високим температурама.

- Хемијска инертност: Графит је хемијски инертан и не реагује са прекурсорима ГаН, спречавајући нежељене нечистоће у узгојеним филмовима.

-Компатибилност са Аиктрон Г5: Сусцептор је посебно дизајниран за употребу у Аиктрон Г5 МОЦВД систему, обезбеђујући правилно пристајање и функционалност.

Пријаве:

ЛЕД диоде високе осветљености: ЛЕД диоде засноване на ГаН-у нуде високу ефикасност и дуг животни век, што их чини идеалним за опште осветљење, аутомобилско осветљење и апликације за екране.

Транзистори велике снаге: ГаН транзистори нуде супериорне перформансе у смислу густине снаге, ефикасности и брзине пребацивања, што их чини погодним за апликације енергетске електронике.

Ласерске диоде: Ласерске диоде на бази ГаН нуде високу ефикасност и кратке таласне дужине, што их чини идеалним за оптичко складиштење и комуникационе апликације.

Параметар производа ГаН епитаксијалног графитног сусцептора за Г5

Физичка својства изостатског графита
Имовина	Јединица	Типична вредност
Спец.густина	г/цм³	1.83
Тврдоћа	ХСД	58
Електрична отпорност	мΩ.м	10
Отпорност на савијање	МПа	47
Јачина притиска	МПа	103
Затезна чврстоћа	МПа	31
Иоунгов модул	Просек оцена	11.8
Термичка експанзија (ЦТЕ)	10-6К-1	4.6
Топлотна проводљивост	В·м-1·К-1	130
Просечна величина зрна	μм	8-10
Порозност	%	10
Садржај пепела	ппм	≤10 (након пречишћавања)

Напомена: Пре премазивања, извршићемо прво пречишћавање, након премаза, друго пречишћавање.

Основна физичка својства ЦВД СиЦ превлаке
Имовина	Типична вредност
Кристална структура	ФЦЦ β фаза поликристална, углавном (111) оријентисана
Густина	3,21 г/цм³
Тврдоћа	2500 Вицкерс тврдоћа (500г оптерећење)
Величине зрна	2~10μм
Хемијска чистоћа	99,99995%
Топлотни капацитет	640 Ј·кг-1·К-1
Сублиматион Температуре	2700℃
Отпорност на савијање	415 МПа РТ 4 тачке
Иоунгов модул	430 Гпа 4пт кривина, 1300 ℃
Топлотна проводљивост	300В·м-1·К-1
Термичка експанзија (ЦТЕ)	4,5×10-6К-1

ВеТек Семицондуцтор Продуцтион Схоп

Хот Тагс: ГаН епитаксијални графитни сусцептор за Г5, Кина, произвођач, добављач, фабрика, прилагођена, куповина, напредна, издржљива, произведена у Кини

Ознака производа

Повезана категорија