> Производи > Премаз од силицијум карбида > Епитаксија силицијум карбидом

Производи

Нови производи

Кина Епитаксија силицијум карбидом Мануфацтурер, Супплиер, Фацтори

Припрема висококвалитетне епитаксије силицијум карбида зависи од напредне технологије и опреме и прибора опреме. Тренутно, најчешће коришћена метода раста епитаксије силицијум карбидом је хемијско таложење паре (ЦВД). Има предности прецизне контроле дебљине епитаксијалног филма и концентрације допинга, мање дефекта, умерене стопе раста, аутоматске контроле процеса, итд., И поуздана је технологија која се успешно примењује комерцијално.

ЦВД епитаксија од силицијум карбида генерално усваја ЦВД опрему са топлим зидом или топлом зидом, која обезбеђује наставак епитаксијског слоја 4Х кристалног СиЦ под условима високе температуре раста (1500 ~ 1700℃), топлог зида или топлог зида ЦВД након година развоја, према однос између смера протока улазног ваздуха и површине супстрата, Реакциона комора се може поделити на реактор хоризонталне структуре и реактор са вертикалном структуром.

Постоје три главна индикатора за квалитет СИЦ епитаксијалне пећи, први је учинак епитаксијалног раста, укључујући уједначеност дебљине, униформност допинга, стопу дефекта и брзину раста; Други је температурни учинак саме опреме, укључујући брзину грејања/хлађења, максималну температуру, уједначеност температуре; Коначно, перформансе трошкова саме опреме, укључујући цену и капацитет једне јединице.

Три врсте епитаксијалне пећи за раст од силицијум карбида и разлике у додацима за језгро

Хоризонтални ЦВД топлог зида (типични модел ПЕ1О6 компаније ЛПЕ), планетарни ЦВД топлог зида (типичан модел Аиктрон Г5ВВЦ/Г10) и квазиврући зид ЦВД (који заступа ЕПИРЕВОС6 компаније Нуфларе) су основна техничка решења епитаксијалне опреме која су реализована. у комерцијалним применама у овој фази. Три техничка уређаја такође имају своје карактеристике и могу се бирати према захтевима. Њихова структура је приказана на следећи начин:

Одговарајуће основне компоненте су следеће:

(а) Топли зид хоризонталног типа језгра део- Халфмоон Партс се састоји од

Низводна изолација

Горња главна изолација

Горњи полумесец

Упстреам изолација

Прелазни комад 2

Прелазни комад 1

Спољна ваздушна млазница

Таперед сноркел

Спољна млазница за гас аргон

Аргон гасна млазница

Носива плоча

Центринг пин

Централна стража

Низводно леви заштитни поклопац

Низводно десно заштитни поклопац

Узводно леви заштитни поклопац

Узводно десно заштитни поклопац

Бочни зид

Графитни прстен

Заштитни филц

Подржавајући филц

Контакт блок

Излазни цилиндар за гас

(б) Планетарни тип топлог зида

Планетарни диск са СиЦ премазом & Планетарни диск обложен ТаЦ

(ц) Квазитермални зидни стојећи тип

Нуфларе (Јапан): Ова компанија нуди вертикалне пећи са две коморе које доприносе повећању приноса производње. Опрема има велику брзину ротације до 1000 обртаја у минути, што је веома корисно за епитаксијалну униформност. Поред тога, његов смер протока ваздуха се разликује од друге опреме, јер је вертикално надоле, чиме се минимизира стварање честица и смањује вероватноћа пада капљица честица на плочице. Пружамо основне компоненте графита обложене СиЦ-ом за ову опрему.

Као добављач компоненти за СиЦ епитаксијалну опрему, ВеТек Семицондуцтор је посвећен пружању купаца висококвалитетним компонентама премаза за подршку успешне имплементације СиЦ епитаксије.

View as

Држач вафла обложен СиЦ

ВеТек Семицондуцтор је професионални произвођач и лидер производа за држаче вафла обложених СиЦ у Кини. Држач плочице обложен СиЦ је држач плочице за процес епитаксије у обради полупроводника. То је незаменљив уређај који стабилизује плочицу и обезбеђује равномеран раст епитаксијалног слоја. Добродошли на ваше даље консултације.

Опширније Пошаљи упит

Епи држач вафла

ВеТек Семицондуцтор је професионални произвођач и фабрика Епи Вафер Холдер-а у Кини. Епи Вафер Холдер је држач плочице за процес епитаксије у обради полупроводника. То је кључно средство за стабилизацију плочице и обезбеђивање равномерног раста епитаксијалног слоја. Широко се користи у опреми за епитаксију као што су МОЦВД и ЛПЦВД. То је незаменљив уређај у процесу епитаксије. Добродошли на ваше даље консултације.

Опширније Пошаљи упит

Аиктрон Сателлите вафер царриер

Као професионални произвођач и иноватор производа Аиктрон Сателлите Вафер Царриер у Кини, ВеТек Семицондуцтор'с Аиктрон Сателлите Вафер Царриер је носач плочице који се користи у АИКСТРОН опреми, углавном се користи у МОЦВД процесима у обради полупроводника, а посебно је погодан за високе температуре и високе прецизности. процеси обраде полупроводника. Носач може да обезбеди стабилну подршку за плочице и равномерно таложење филма током МОЦВД епитаксијалног раста, што је неопходно за процес наношења слојева. Добродошли на ваше даље консултације.

Опширније Пошаљи упит

ЛПЕ Халфмоон СиЦ ЕПИ реактор

ВеТек Семицондуцтор је професионални произвођач производа ЛПЕ Халфмоон СиЦ ЕПИ Реацтор, иноватор и лидер у Кини. ЛПЕ Халфмоон СиЦ ЕПИ реактор је уређај посебно дизајниран за производњу висококвалитетних епитаксијалних слојева од силицијум карбида (СиЦ), који се углавном користе у индустрији полупроводника. ВеТек Семицондуцтор је посвећен пружању водећих технолошких и производних решења за индустрију полупроводника, и поздравља ваше даље упите.

Опширније Пошаљи упит

ЦВД СиЦ обложени плафон

Као професионални произвођач и добављач ЦВД СиЦ плафона у Кини, ВеТек Семицондуцтор'с ЦВД СиЦ обложени плафон има одлична својства као што су отпорност на високе температуре, отпорност на корозију, висока тврдоћа и низак коефицијент термичког ширења, што га чини идеалним избором материјала у производњи полупроводника. Радујемо се даљој сарадњи са Вама.

Опширније Пошаљи упит

ЦВД СиЦ графитни цилиндар

ЦВД СиЦ графитни цилиндар компаније Ветек Семицондуцтор је кључан у полупроводничкој опреми, служећи као заштитни штит унутар реактора за заштиту унутрашњих компоненти при високим температурама и подешавањима притиска. Ефикасно штити од хемикалија и екстремне топлоте, чувајући интегритет опреме. Са изузетном отпорношћу на хабање и корозију, обезбеђује дуговечност и стабилност у изазовним окружењима. Коришћење ових поклопаца побољшава перформансе полупроводничких уређаја, продужава животни век и ублажава захтеве за одржавањем и ризике од оштећења. Добро дошли да нас питате.

Опширније Пошаљи упит

<1 2 3 >

Као професионални Епитаксија силицијум карбидом произвођач и добављач у Кини, имамо сопствену фабрику. Било да су вам потребне прилагођене услуге да бисте задовољили специфичне потребе вашег региона или желите да купите напредне и издржљиве Епитаксија силицијум карбидом произведене у Кини, можете нам оставити поруку.