> Вести

Вести

Историја развоја 3Ц СиЦ

Кроз континуирани технолошки напредак и дубинско истраживање механизама, очекује се да ће 3Ц-СиЦ хетероепитаксијална технологија играти важнију улогу у индустрији полупроводника и промовисати развој електронских уређаја високе ефикасности.

Опширније

АЛД Рецепт за атомско таложење слојева

Просторни АЛД, просторно изоловано таложење атомског слоја. Облата се креће између различитих позиција и изложена је различитим прекурсорима на свакој позицији. Слика испод је поређење између традиционалне АЛД и просторно изоловане АЛД.

Опширније

Пробој технологије тантал карбида, СиЦ епитаксијално загађење смањено за 75%?

Недавно је немачки истраживачки институт Фраунхофер ИИСБ направио искорак у истраживању и развоју технологије превлаке од тантал карбида и развио решење за премазивање спрејом које је флексибилније и еколошки прихватљивије од ЦВД решења за таложење, и које је комерцијализовано.

Опширније

Истраживачка примена технологије 3Д штампања у индустрији полупроводника

У ери брзог технолошког развоја, 3Д штампа, као важан представник напредне производне технологије, постепено мења лице традиционалне производње. Уз континуирану зрелост технологије и смањење трошкова, технологија 3Д штампања је показала широке изгледе за примену у многим областима као што су ваздухо......

Опширније

Технологија припреме силицијум(Си) епитаксије

Монокристални материјали сами по себи не могу задовољити потребе растуће производње разних полупроводничких уређаја. Крајем 1959. године развијен је танак слој технологије раста монокристалног материјала – епитаксијални раст.

Опширније

Заснован на технологији пећи за раст од монокристалног силицијум карбида од 8 инча

Силицијум карбид је један од идеалних материјала за израду високотемпературних, високофреквентних, јаких и високонапонских уређаја. У циљу побољшања ефикасности производње и смањења трошкова, припрема великих подлога од силицијум карбида је важан правац развоја.

Опширније

<...6 7 8 9 10 >