СиЦ заптивни део

СиЦ заптивни део игра кључну улогу у обради полупроводника. Његова одлична својства материјала и поуздан ефекат заптивања не само да побољшавају ефикасност производње, већ и осигуравају квалитет и сигурност производа.

Главне предности заптивног дела од силицијум карбида:

Одлична отпорност на корозију: Међу напредним керамичким материјалима, ВеТексеми СиЦ заптивни део може имати најбољу отпорност на корозију у киселим и алкалним срединама. Ова неупоредива отпорност на корозију обезбеђује да СиЦ заптивни део може ефикасно да ради у хемијски корозивним окружењима, што га чини незаменљивим материјалом у индустријама које су често изложене корозивним супстанцама.

Лагана и јака: Силицијум карбид има густину од приближно 3,2 г/цм³, и упркос томе што је лаган керамички материјал, снага силицијум карбида је упоредива са чврстоћом дијаманта. Ова комбинација лакоће и снаге побољшава перформансе механичких компоненти, чиме се повећава ефикасност и смањује хабање у захтевним индустријским применама. Лагана природа СиЦ заптивног дела такође олакшава руковање и инсталацију компоненти.

Изузетно велика тврдоћа и висока топлотна проводљивост: Силицијум карбид има Мохсову тврдоћу од 9 ~ 10, упоредив са дијамантом. Ово својство, у комбинацији са високом топлотном проводљивошћу (приближно 120-200 В/м·К на собној температури), омогућава СиЦ заптивкама да функционишу у условима који би оштетили инфериорне материјале. Одлична механичка својства СиЦ-а се одржавају на температурама до 1600°Ц, обезбеђујући да СиЦ заптивке остају робусне и поуздане чак и у применама на високим температурама.

Висока тврдоћа и отпорност на хабање: Силицијум карбид карактеришу јаке ковалентне везе унутар кристалне решетке, дајући му високу тврдоћу и значајан модул еластичности. Ова својства се претварају у одличну отпорност на хабање, смањујући вероватноћу савијања или деформације чак и након дуготрајне употребе. Ово чини СиЦ одличним избором за СиЦ заптивне делове који су изложени континуираном механичком напрезању и абразивним условима.

Формирање заштитног слоја силицијум диоксида: Када је изложен температурама од приближно 1300°Ц у окружењу богатом кисеоником, силицијум карбид формира заштитни силицијум диоксид (СиО₂) слој на његовој површини. Овај слој делује као баријера, спречавајући даљу оксидацију и хемијске интеракције. Као што је СиО₂слој се згушњава, он даље штити основни СиЦ од других реакција. Овај самоограничавајући процес оксидације даје СиЦ одличну хемијску отпорност и стабилност, чинећи СиЦ заптивке погодним за употребу у реактивним и високотемпературним окружењима.

Свестраност у апликацијама високих перформанси:Јединствена својства силицијум карбида чине га разноврсним и ефикасним у разним апликацијама високих перформанси. Од механичких заптивки и лежајева до измењивача топлоте и компоненти турбина, способност СиЦ заптивног дела да издржи екстремне услове и одржи свој интегритет чини га материјалом избора у напредним инжењерским решењима.

ВеТек Семицондуцтор је посвећен пружању напредне технологије и решења производа за индустрију полупроводника. Поред тога, наши СиЦ производи такође укључујуПремаз од силицијум карбида, Керамика од силицијум карбидаиПроцес епитаксије на СиЦпроизводи. Добродошли на ваше даље консултације.

СЕМ ПОДАЦИ КРИСТАЛНЕ СТРУКТУРЕ ЦВД СИЦ ФИЛМА：