Водећи прстен од тантал карбида

ВеТек СемицондуцторВодилица од тантал карбидаgје израђен одграфитипресвучен тантал карбидом, комбинација која користи најбоља својства оба материјала како би се осигурале врхунске перформансе и дуговечност.

ТхеТаЦ премазна прстену за вођење тантал карбида осигурава да остане хемијски инертан у реактивним атмосферама пећи за раст кристала СиЦ, које често укључују гасове као што су водоник, аргон и азот. Ова хемијска инертност је од виталног значаја за спречавање било какве контаминације растућег кристала, што би могло довести до дефеката и смањених перформанси финалних полупроводничких производа. Поред тога, термичка стабилност коју обезбеђује ТаЦ премаз омогућава водећем прстену премаза од тантал карбида да ефикасно ради на високим температурама потребним заРаст кристала СиЦ, обично преко 2000°Ц.

Поред тога, комбинација графита и ТаЦ у прстену за премазивање од тантал карбида оптимизује управљање топлотом унутар пећи за раст кристала. Висока топлотна проводљивост графита ефикасно дистрибуира топлоту, спречавајући вруће тачке и подстичући равномеран раст кристала. У међувремену, тантал карбид премаз служи као термичка баријера, штитећи графитно језгро од директног излагања високим температурама и реактивним гасовима. Ова синергија између материјала језгра и материјала за облагање резултира водећим прстеном који не само да издржава тешке услове раста кристала СиЦ, већ и побољшава укупну ефикасност и квалитет процеса.

Механичка својства ВеТек Семицондуцтор Танталум Царбиде у великој мери смањују хабање и хабање прстена за премазивање од тантал карбида. Ово је кључно због репетитивне природепроцес раста кристала, што излаже водећи прстен честим термичким циклусима и механичким напрезањима. Тврдоћа и отпорност на хабање тантал-карбида осигуравају да водећи прстен задржи свој структурни интегритет и прецизне димензије током дугих периода, минимизирајући потребу за честим замјенама и смањујући застоје у процесу производње.

ВеТек Семицондуцтор Тантал Карбиде Цоатинг Прстен је суштинска компонента у индустрији полупроводника, посебно дизајнирана за растКристали силицијум карбида. Његов дизајн користи снагу графита и тантал карбида да пружи изузетне перформансе у окружењима са високим температурама и високим стресом. ТаЦ премаз осигурава хемијску инертност, механичку издржљивост и термичку стабилност, а све су то критичне за производњу висококвалитетних СиЦ кристала. Одржавајући свој интегритет и функционалност у екстремним условима, водећи прстен подржава ефикасан раст СиЦ кристала без дефеката, доприносећи напретку полупроводничких уређаја велике снаге и високе фреквенције.

Тантал карбид (ТаЦ) премаз на микроскопском попречном пресеку:

Физичка својства ТаЦ превлаке: