Колики је температурни градијент топлотног поља пећи од једног кристала?

Шта јетермичко поље?

Температурно поље одраст монокристалаодноси се на просторну дистрибуцију температуре у пећи од једног кристала, такође познату као топлотно поље. Током калцинације, расподела температуре у топлотном систему је релативно стабилна, што се назива статичко топлотно поље. Током раста једног кристала, топлотно поље ће се променити, што се назива динамичко топлотно поље.

Када један кристал расте, услед континуиране трансформације фазе (течна фаза у чврсту фазу), латентна топлота чврсте фазе се непрекидно ослобађа. У исто време, кристал постаје све дужи и дужи, ниво растопа стално опада, а проводљивост топлоте и зрачење се мењају. Због тога се топлотно поље мења, што се назива динамичко топлотно поље.

Шта је интерфејс чврсто-течност?

У одређеном тренутку, било која тачка у пећи има одређену температуру. Ако повежемо тачке у простору са истом температуром у температурном пољу, добићемо просторну површину. На овој просторној површини температура је свуда једнака, што називамо изотермном површином. Међу изотермним површинама у пећи са једним кристалом, постоји веома посебна изотермна површина, која је интерфејс између чврсте фазе и течне фазе, па се назива и интерфејс чврста-течност. Кристал расте из интерфејса чврстог и течног.

Шта је температурни градијент?

Температурни градијент се односи на брзину промене температуре тачке А у топлотном пољу на температуру оближње тачке Б. То јест, брзину промене температуре унутар јединичне удаљености.

Кадамонокристални силицијумрасте, постоје два облика чврсте материје и талине у термичком пољу, а постоје и две врсте температурних градијената:

▪ Уздужни температурни градијент и радијални температурни градијент у кристалу.

▪ Уздужни температурни градијент и радијални температурни градијент у талини.

▪ Ово су две потпуно различите дистрибуције температуре, али температурни градијент на интерфејсу чврста и течност може највише да утиче на стање кристализације. Радијални температурни градијент кристала одређен је уздужном и попречном проводношћу топлоте кристала, површинским зрачењем и новим положајем у термичком пољу. Уопштено говорећи, централна температура је висока, а температура ивице кристала је ниска. Радијални температурни градијент растопа је углавном одређен грејачима око њега, тако да је централна температура ниска, температура у близини лончића висока, а радијални температурни градијент је увек позитиван.

Разумна расподела температуре топлотног поља треба да испуни следеће услове:

▪ Уздужни температурни градијент у кристалу је довољно велик, али не превелик, да би се осигурало да постоји довољан капацитет дисипације топлоте токомраст кристалада би се одузела латентна топлота кристализације.

▪ Уздужни температурни градијент у растопу је релативно велики, обезбеђујући да се у топљењу не стварају нова кристална језгра. Међутим, ако је превелика, лако је изазвати дислокације и лом.

▪ Уздужни температурни градијент на граници кристализације је одговарајуће велик, чиме се формира неопходно подхлађење, тако да монокристал има довољан замах раста. Не би требало да буде превелик, иначе ће доћи до структурних дефеката, а радијални температурни градијент треба да буде што мањи да би кристализациони интерфејс био раван.

ВеТек Семицондуцтор је професионални кинески произвођачСиЦ Цристал Гровтх Порозни графит, Монокристални вучни Цруцибле, Повуците силицијумски сингл кристал, Тиглица за монокристални силицијум, Цев обложена тантал карбидом за раст кристала.  ВеТек Семицондуцтор је посвећен пружању напредних решења за различите СиЦ Вафер производе за индустрију полупроводника.

Ако сте заинтересовани за горе наведене производе, слободно нас контактирајте директно.  

Моб: +86-180 6922 0752

ВхатсАПП: +86 180 6922 0752

Е-пошта: анни@ветексеми.цом