Порозни графит са премазом ТаЦ

Порозни графит са премазом ТаЦ је напредни материјал за обраду полупроводника који обезбеђује ВеТек Семицондуцтор. Порозни графит са премазом ТаЦ комбинује предности превлаке порозног графита и тантал карбида (ТаЦ), са добром топлотном проводљивошћу и пропусношћу гаса. ВеТек Семицондуцтор је посвећен пружању квалитетних производа по конкурентним ценама и радујемо се што ћемо бити ваш дугорочни партнер у Кини.

Пошаљи упит

Опис производа

ВеТек Семицондуцтор је кинески произвођач и добављач који углавном производи порозни графит са премазом ТаЦ са дугогодишњим искуством. Надам се да ћу изградити пословни однос са вама.

ВеТек Семицондуцтор Пороус Грапхите витх ТаЦ Цоатед материал је револуционарни материјал за производњу полупроводника који савршено комбинује порозни графит са премазом од тантал-карбида (ТаЦ). Овај порозни графит са ТаЦ обложеним материјалом има одличну пропусност и високу порозност, са максималном порозношћу од 75%, постављајући међународни рекорд у индустрији. ТаЦ премаз високе чистоће не само да побољшава корозију и отпорност на хабање порозног графита, већ такође пружа додатни слој заштите, ефикасно решавајући изазове као што су прерада и корозија.

Употреба порозног графита обложеног ТаЦ може значајно побољшати ефикасност и квалитет процеса производње полупроводника. Његова одлична пропустљивост обезбеђује стабилност материјала у условима високе температуре и ефикасно контролише повећање угљеничних нечистоћа. У исто време, дизајн високе порозности обезбеђује боље перформансе дифузије гаса како би помогао у одржавању чистог окружења раста.

Посвећени смо пружању купаца одличним порозним графитом са ТаЦ обложеним материјалима како бисмо задовољили потребе индустрије производње полупроводника. Било у истраживачким лабораторијама или индустријској производњи, овај напредни материјал може вам помоћи да постигнете одличне перформансе и поузданост. Контактирајте нас данас да бисте сазнали више о овом револуционарном материјалу и започели свој пут иновација за покретање производње полупроводника.

ПВТ метода Раст кристала СиЦ

Параметар производа порозног графита са премазом ТаЦ

Физичка својства ТаЦ превлаке
Густина	14,3 (г/цм³)
Специфична емисивност	0.3
Коефицијент топлотног ширења	6.3 10-6/К
Тврдоћа (ХК)	2000 ХК
Отпор	1×10-5 Охм*цм
Термичка стабилност	<2500℃
Промена величине графита	-10~-20ум
Дебљина премаза	≥20ум типична вредност (35ум±10ум)