ЦВД СиЦ Палачинка Сусцептор

Супериорна физичка својства

ВеТек Семицондуцтор ЦВД СиЦ Панцаке Сусцептор је произведен коришћењем најновије технологије хемијског таложења паре (ЦВД) како би се осигурала одлична издржљивост и екстремна прилагодљивост температурама. Следеће су његове главне физичке особине:

● Термичка стабилност: Висока термичка стабилност ЦВД СиЦ обезбеђује стабилне перформансе у условима високе температуре.

● Низак коефицијент топлотног ширења: Материјал има изузетно низак коефицијент термичке експанзије, што минимизира савијање и деформације узроковане променама температуре.

● Отпорност на хемијску корозију: Одлична отпорност на хемикалије омогућава одржавање високих перформанси у разним тешким окружењима.

Прецизна подршка и оптимизован пренос топлоте

ВеТекСеми-ов Панцаке Сусцептор обложен СиЦ премазом је дизајниран да прихвати полупроводничке плочице и пружи одличну подршку током епитаксијалног таложења. СиЦ Панцаке Сусцептор је дизајниран коришћењем напредне технологије рачунарске симулације како би се минимизирало савијање и деформација под различитим условима температуре и притиска. Његов типичан коефицијент топлотног ширења је око 4,0 × 10^^-6/°Ц, што значи да је његова димензиона стабилност знатно боља од традиционалних материјала у окружењима високе температуре, чиме се обезбеђује конзистентност дебљине плочице (обично 200 мм до 300 мм).

Поред тога, ЦВД Палачинка Сусцептор се истиче у преносу топлоте, са топлотном проводљивошћу до 120 В/м·К. Ова висока топлотна проводљивост може брзо и ефикасно да спроведе топлоту, побољша уједначеност температуре унутар пећи, обезбеди уједначену дистрибуцију топлоте током епитаксијалног таложења и смањи дефекте таложења узроковане неуједначеном топлотом. Оптимизоване перформансе преноса топлоте су критичне за побољшање квалитета таложења, што може ефикасно смањити флуктуације процеса и побољшати принос.

Кроз ове оптимизације дизајна и перформанси, ВеТек Семицондуцтор-ов ЦВД СиЦ Панцаке Сусцептор пружа солидну основу за производњу полупроводника, обезбеђујући поузданост и конзистентност у тешким условима обраде и испуњавајући строге захтеве модерне индустрије полупроводника за високу прецизност и квалитет.

ЦВД СИЦ ФИЛМ КРИСТАЛНА СТРУКТУРА

Основна физичка својства ЦВД СиЦ превлаке

Основна физичка својства ЦВД СиЦ превлаке
Имовина	Типична вредност
Цристал Струцтуре	ФЦЦ β фаза поликристална, углавном (111) оријентисана
Густина	3,21 г/цм³
Тврдоћа	2500 Вицкерс тврдоћа (500г оптерећење)
Величина зрна	2~10μм
Хемијска чистоћа	99,99995%
Хеат Цапацити	640 Ј·кг-1·К-1
Температура сублимације	2700℃
Флекурал Стренгтх	415 МПа РТ 4 тачке
Иоунгов модул	430 Гпа 4пт кривина, 1300 ℃
Тхермал Цондуцтивити	300В·м-1·К-1
Термичка експанзија (ЦТЕ)	4,5×10-6K-1