ЛПЕ СИ ЕПИ сет рецептора

ВеТек Семицондуцтор је водећи произвођач и иноватор ЛПЕ Си Епи Сусцептор Сет-а у Кини. Специјализовани смо за СиЦ премазе и ТаЦ премазе дуги низ година. Нудимо ЛПЕ Си Епи Сусцептор Сет дизајниран специјално за ЛПЕ ПЕ2061С 4'' плочице. Степен подударања графитног материјала и СиЦ превлаке је добар, уједначеност је одлична, а животни век је дуг, што може побољшати принос раста епитаксијалног слоја током процеса ЛПЕ (Епитакси течне фазе). Поздрављамо вас да посетите нашу фабрику у Кина.

Пошаљи упит

Опис производа

ВеТек Семицондуцтор је професионални произвођач и добављач кинеског ЛПЕ Си ЕПИ сусцептора.

Уз добар квалитет и конкурентну цену, добродошли да посетите нашу фабрику и успоставите дугорочну сарадњу са нама.

ВеТеК Семицондуцтор ЛПЕ Си Епи Сусцептор сет је производ високих перформанси креиран наношењем финог слоја силицијум карбида на површину високо пречишћеног изотропног графита. Ово је постигнуто ВеТеК Семицондуцтор-овим власничким процесом хемијског таложења паром (ЦВД).

ВеТек Семицондуцтор-ов ЛПЕ Си Епи Сусцептор Сет је ЦВД епитаксијални бачвасти реактор за таложење дизајниран да поуздано ради чак иу изазовним условима. Његова изванредна адхезија премаза, отпорност на оксидацију при високим температурама и корозију чине га идеалним избором за оштра окружења. Штавише, његов уједначен термички профил и ламинарни образац струјања гаса спречавају контаминацију, обезбеђујући раст висококвалитетних епитаксијалних слојева.

Дизајн нашег полупроводничког епитаксијалног реактора у облику бачве оптимизује проток гаса, обезбеђујући равномерну дистрибуцију топлоте. Ова карактеристика ефикасно спречава контаминацију и дифузију нечистоћа, гарантујући производњу висококвалитетних епитаксијалних слојева на подлогама плочица.

У ВеТек Семицондуцтор-у смо посвећени пружању купаца висококвалитетним и исплативим производима. Наш ЛПЕ Си Епи Сусцептор сет нуди конкурентне цене уз одржавање одличне густине и за графитну подлогу и за премаз од силицијум карбида. Ова комбинација обезбеђује поуздану заштиту у високотемпературном и корозивном радном окружењу.

Основна физичка својства ЦВД СиЦ превлаке:

Основна физичка својства ЦВД СиЦ превлаке
Имовина	Типична вредност
Кристална структура	ФЦЦ β фаза поликристална, углавном (111) оријентисана
Густина	3,21 г/цм³
Тврдоћа	2500 Вицкерс тврдоћа (500г оптерећење)
Величине зрна	2~10μм
Хемијска чистоћа	99,99995%
Топлотни капацитет	640 Ј·кг-1·К-1
Температура сублимације	2700℃
Отпорност на савијање	415 МПа РТ 4 тачке
Иоунгов модул	430 Гпа 4пт кривина, 1300 ℃
Топлотна проводљивост	300В·м-1·К-1
Термичка експанзија (ЦТЕ)	4,5×10-6К-1