Силицијум на изолаторској плочици

Принцип рада наВеТек Семицондуцтор’сСилицијум на изолатору ваферуглавном се ослања на своју јединствену структуру и својства материјала. И СОИ ваферсастоји се од три слоја: горњи слој је слој уређаја од монокристалног силикона, средњи је изолациони слој са закопаним оксидом (БОКС), а доњи слој је носећи силицијумски супстрат.

Формирање изолационог слоја: Силицон Он Инсулатор Вафер се обично производи помоћу технологије Смарт Цут™ или СИМОКС (Сепаратион би ИМплантед ОКСиген) технологије. Технологија Смарт Цут™ убризгава јоне водоника у силицијумску плочицу да би се формирао слој мехурића, а затим везује плочицу убризгану водоником за носећу силиконску плочицу. Након топлотне обраде, плочица убризгана водоником се одваја од слоја мехурића да би се формирала структура СОИ. СИМОКС технологија имплантира високоенергетске јоне кисеоника у силицијумске плочице како би се формирао слој силицијум оксида на високим температурама.

Смањите паразитску капацитивност: БОКС слојСилицијум на изолаторској плочициефикасно изолује слој уређаја и основни силицијум, значајно смањујући паразитски капацитет. Ова изолација смањује потрошњу енергије и повећава брзину и перформансе уређаја.

Избегавајте ефекте затварања: Уређаји са н-бунарићима и п-бунарићима уСОИ ваферсу потпуно изоловани, избегавајући ефекат затварања у традиционалним ЦМОС структурама. Ово дозвољаваСилицијум на изолатору  Вафер да се производи при већим брзинама.

Етцх стоп функција: Слој једнокристалног силицијумског уређаја и структура БОКС слоја СОИ плочице олакшавају производњу МЕМС и оптоелектронских уређаја, обезбеђујући одличну функцију заустављања јеткања.

Кроз ове карактеристике,Силицијум на изолаторској плочициигра важну улогу у обради полупроводника и промовише континуирани развој индустрије интегрисаних кола (ИЦ) и микроелектромеханичких система (МЕМС). Искрено се радујемо даљој комуникацији и сарадњи са Вама.

Параметар производа：

Производне радње:

Преглед ланца индустрије епитаксије полупроводничких чипова：