Кина Силицијумска епитаксија Мануфацтурер, Супплиер, Фацтори

Силицијумска епитаксија, ЕПИ,епитакси,епитаксијална се односи на раст слоја кристала истог правца кристала и различите дебљине кристала на једној кристалној силицијумској подлози. Технологија епитаксијалног раста је потребна за производњу полупроводничких дискретних компоненти и интегрисаних кола, јер нечистоће садржане у полупроводницима укључују Н-тип и П-тип. Комбинацијом различитих типова, полупроводнички уређаји показују различите функције.

Метода раста силицијумске епитаксије може се поделити на епитаксију у гасној фази, епитаксију течне фазе (ЛПЕ), епитаксију у чврстој фази, метода раста хемијског таложења паре се широко користи у свету како би се задовољио интегритет решетке.

Типичну силицијумску епитаксијалну опрему представља италијанска компанија ЛПЕ, која има епитаксијални хипнотички тор за палачинке, хипнотички тор типа бурета, полупроводнички хипнотик, носач за плочице и тако даље. Шематски дијаграм реакционе коморе епитаксијалног хипелектора у облику бурета је следећи. ВеТек Семицондуцтор може да обезбеди епитаксијални хипелектор у облику бачве. Квалитет ХИ пелектора обложеног СиЦ је веома зрео. Квалитет еквивалентан СГЛ; У исто време, ВеТек Семицондуцтор такође може да обезбеди силицијумску епитаксијалну реакцијску шупљину кварцну млазницу, кварцну преграду, теглу за звоно и друге комплетне производе.

Вертиални епитаксијални суцептор за силицијумску епитаксију:

Силицијумски епитаксијални суцептор Бучвасти тип плочице Полупроводнички пријемник Сусцептор обложен СиЦ

Хоризонтални епитаксијални суцептор за силицијумску епитаксију:

Ако Епитаксијални пријемник Панцаке Такер Сусцептор обложен СиЦ